【专利摘要】本发明公开了一种半导体器件有源区或多晶硅折角处电阻的测量结构,包括:硅基板衬底上生长有与其同型掺杂的有源区或多晶硅,一侧形成有非封闭型多边形组成的折角...
日期:2020-12-08 点击:56 好评:测量端区核子密度仪试验方法与步骤_建筑/土木_工程科技_专业资料。核子密度仪试验方法与步骤 本方法用于测定沥青混合料面层的压实密度时,在表面用散射法测定,所测定沥青面 层的层厚应...
日期:2020-12-08 点击:98 好评:核子密度仪测量邻区的方法和用户终端。(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利说明书 (10)申请公布号 CN103067959B (43)申请公布日 2015.07.29 (21)申请号 CN2.4 (19)中华人民共和...
日期:2020-12-08 点击:180 好评:测量端区测量小区的方法及终端设备。(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN110611922A (43)申请公布日 2019.12.24 (21)申请号 CN5.0 (19)中华人民共和国...
日期:2020-12-08 点击:163 好评:测量端区